31 марта 2026 12:31:31

Samsung планирует прорыв к 2031 году с 1-нанометровым техпроцессом для полупроводников

Samsung разрабатывает 1-нанометровый техпроцесс с технологией «вилка» к 2031 году

Компания Samsung намерена совершить прорыв в области литографии, представив к 2031 году техпроцесс с 1-нанометровыми нормами, который уже окрестили «полупроводником мечты». Для этого ведутся научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, запланированные к завершению к 2030 году, с целью внедрения метода «вилки» — непроводящей перегородки между элементами GAA, что позволит разместить больше транзисторов на той же площади. Об этом сообщает издание pepelac.news.

В основе современных 2-нм процессов Samsung лежит технология Gate-All-Around (GAA), повышающая энергоэффективность за счёт расширения трактов с трёх до четырёх полос. Однако для 1-нм узла стандартная GAA окажется менее результативной, поэтому компания разрабатывает схему разветвления с «вилкой», аналогичную архитектурному уплотнению зданий: свободное пространство сокращается, а новые структуры занимают его, чтобы увеличить плотность транзисторов.

Изначально Samsung намечала выпуск 1,4-нм техпроцесса, но его реализацию отложили до 2028 года, вероятно, для концентрации на развитии 2-нм технологий. Технология «вилка» может помочь преодолеть прежние производственные сложности, хотя окончательная эффективность и масштабируемость 1-нм процесса станут ясны лишь с началом массового производства.

Параллельно Samsung работает над устранением проблем энергоэффективности в своих системах на кристалле, таких как Exynos 2600, который в тестах Geekbench 6 потребляет до 30 Вт, что снижает автономность устройств в сравнении с конкурентами на Snapdragon. Переход к усовершенствованным 2-нм процессам и последующий запуск 1-нм технологии призваны исправить эти недостатки и заложить основу для будущих мобильных процессоров.