https://mymsk.online/posts/id34195-kompaniya-samsung-planiruet-postroit-na-territorii-ssa-predpriyatie-po-vypusku-3-nm-cipov
Компания Samsung планирует построить на территории США предприятие по выпуску 3-нм чипов
Конкурирующая TSMC не планирует уступать корейской компании.
Компания Samsung планирует построить на территории США предприятие по выпуску 3-нм чипов
Конкурирующая TSMC не планирует уступать корейской компании.
2021-01-22T19:52+03:00
2021-01-22T19:52+03:00
2021-01-22T19:52+03:00
Технологии
/html/head/meta[@name='og:title']/@content
/html/head/meta[@name='og:description']/@content
Корейская компания Samsung планирует построить на территории США предприятие, которое в 2023 году должно начать выдавать 3-нм продукцию для заказчиков из Техаса.
Стоит отметить, что на данный проект корпорация собирается выделить порядка 10 млрд долларов. Конкурирующая TSMC не планирует уступать Samsung, и готова выделить около 12 млрд долларов на строительство предприятия по выпуску 5-нм продукции.
Уточним, что данный проект станет первым предприятием Samsung за пределами Южной Кореи, на котором будет использоваться литография со сверхжестким ультрафиолетовым излучением.
Моя Москва.онлайн
info@mymsk.online
Моя Москва.онлайн
2021
Новости
ru-RU
Моя Москва.онлайн
info@mymsk.online
Моя Москва.онлайн
Моя Москва.онлайн
info@mymsk.online
Моя Москва.онлайн
Технологии
Компания Samsung планирует построить на территории США предприятие по выпуску 3-нм чипов
Конкурирующая TSMC не планирует уступать корейской компании.
Автор: Евгений Карапузов
22 января 2021
Корейская компания Samsung планирует построить на территории США предприятие, которое в 2023 году должно начать выдавать 3-нм продукцию для заказчиков из Техаса.
Стоит отметить, что на данный проект корпорация собирается выделить порядка 10 млрд долларов. Конкурирующая TSMC не планирует уступать Samsung, и готова выделить около 12 млрд долларов на строительство предприятия по выпуску 5-нм продукции.
Уточним, что данный проект станет первым предприятием Samsung за пределами Южной Кореи, на котором будет использоваться литография со сверхжестким ультрафиолетовым излучением.